抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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我々は,有機トランジスタ(OFET)の新規評価法として光第2次高調波発生法(SHG)を提案し,有機FETにおけるチャネル形成や,顕微分光による素子中の電界分布計測について検討してきた。その上で,このSHG測定に時間分解分光計測と高感度冷却CCDによるイメージングを組み合わせる(TRM-SHG)ことで,チャネル中電界の過渡変化を逐次画像化できるようになり,結果としてキャリアがFET素子中を流れる様子をイメージとして捉えることに成功した。このキャリア挙動を解析すると,キャリアは時間の平方根に比例して移動することが明らかとなった。数値計算によってデバイス中におけるキャリアの時間発展を予測したところ,この時間依存性を支持する結果が得られ,これらから移動度を見積もることが可能となった。ここでは,パルス電圧印加に伴うキャリア(電界)の過渡的変化について,実際にTRM-SHGで得られた結果をもとに,チャネル部の等価回路(梯子型回路)を用いて,その挙動を検討した。その結果,チャネル界面における電荷輸送はゲートーソース電圧を駆動力として生じ,等価回路としてはコンデンサへの充電の伝播に相当することが明らかとなった。ここで示したTRM-SHG法は,高い空間(500nm程度)および時間(20ns程度)分解能でキャリアのダイナミクスを直接観測する,一つの有効な手法になると考えている。(著者抄録)