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J-GLOBAL ID：201002292560837651   整理番号：10A1539029

AlGaN/GaNから成るヘテロ構造の表面化学状態と障壁高に及ぼす酸化の効果

Effects of oxidation on surface chemical states and barrier height of AlGaN/GaN heterostructures

著者 (4件)： HIGASHIWAKI Masataka (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  CHOWDHURY Srabanti (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  SWENSON Brian L. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  MISHRA Umesh K. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 22  ページ： 222104  発行年： 2010年11月29日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaNから成るヘテロ構造の表面構造と化学結合状態に及ぼす酸化の効果を,x線光電子分光法(XPS)によって研究した。成長させたままの試料とアニーリングした試料におけるAlの2pに関する内殻準位XPSの比較から,O₂だけでなくN₂ガス雰囲気中において,高温で急速熱アニーリング(RTA)すると,表面のAl原子は高度に酸化されることが分かった。Alの酸化レベルはアニーリングの雰囲気と時間に関係なく,800°Cでアニールされた試料では殆ど同じであるが,アニーリング温度に強く依存することが分かった。アニーリング条件に対する表面障壁高の依存性は,Alの酸化状態と関係している。RTAを行う前は,障壁高はAlGaNの厚さに伴って増大することが分かった。このことは,Fermi準位のピン止めはずれ,および低密度の分散した表面ドナー状態の存在を示唆している。しかし,高温RTSを行うと,高密度のドナー状態によってFermi準位がピン止めされるために,AlGaNの厚さに関係なく障壁高は一定値に保たれることが分かった。これらの結果は,タイプの異なるドナー状態を形成する二種類の酸化構造の形成によって説明される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *ヘテロ接合 ,  状態 ,  表面 ,  ポテンシャル障壁 ,  酸化 ,  化学結合 ,  X線光電子スペクトル ,  内殻準位 ,  RTA【熱処理】 ,  温度依存性 ,  膜厚 ,  Fermi準位 ,  ピン止め ,  ドナー ,  表面準位 ,  表面障壁 ,  化学的状態 ,  *窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： 化学状態 ,  *窒化ガリウムアルミニウム

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  化学状態 ,  障壁 ,  酸化