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J-GLOBAL ID:201102204620673042   整理番号:11A1703185

Sr2Bi2O5結晶の電子構造の第1原理研究

First-principles study on electronic structure of Sr2Bi2O5 crystal
著者 (8件):
資料名:
巻: 72  号: 12  ページ: 1477-1481  発行年: 2011年12月 
JST資料番号: C0202A  ISSN: 0022-3697  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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GGA法によりSr2Bi2O5結晶の電子構造を計算した。価電子帯最大と伝導帯最小はともにΓ点にあった。このことは,Sr2Bi2O5は直接バンドギャップ物質であることを意味している。価電子帯最大と伝導帯最小付近の広いエネルギーバンド分散から,バンドギャップ励起によって生成される正孔と電子は高い移動度を持つと予想される。伝導帯はBi 6p,Sr 4dおよびO 2pのエネルギー状態からなる。他方,価電子帯は,-9.5~-7.9eV(下部価電子帯)と-4.13~0eV(上部価電子帯)の2つのエネルギー領域に分けることができる。前者はおもにO 2sとO 2p状態と混成したBi 6s状態からなり,後者はおもにBi 6sとBi 6p状態と強く相互作用しているO 2pからなる。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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絶縁体結晶の電子構造 
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