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J-GLOBAL ID：201102207635089192   整理番号：11A0796132

SiH₄+B₁₀H₁₄マルチホロー放電プラズマCVDによるp型a-Si:Hの製膜

著者 (11件)： 中原賢太 (九大) ,  川嶋勇毅 (九大) ,  松永剛明 (九大) ,  佐藤宗治 (九大) ,  山本康介 (九大) ,  内田儀一郎 (九大) ,  山下大輔 (九大) ,  松崎秀文 (九大) ,  板垣奈穂 (九大) ,  古閑一憲 (九大) ,  白谷正治 (九大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 58th  ページ： ROMBUNNO.26P-BG-7  発行年： 2011年03月09日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： シラン ,  ボラン ,  ホロー陰極放電 ,  *プラズマCVD ,  *アモルファスシリコン ,  水素 ,  ドーピング ,  太陽電池 ,  電気抵抗率 ,  シリコン太陽電池
準シソーラス用語： *マルチホロー放電

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 放電 ,  プラズマCVD ,  Si ,  製膜