文献

J-GLOBAL ID：201102210105996998   整理番号：11A1221796

ミリ波帯CMOS基板上伝送線路型スパイラルインダクタの電磁界解析と実測による検証

Analysis and Measurement of Transmission Line-Type Spiral Inductors in the Millimeter-Wave Band

著者 (5件)： 浅野隼 (東京工大) ,  平野拓一 (東京工大) ,  岡田健一 (東京工大) ,  広川二郎 (東京工大) ,  安藤真 (東京工大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 111  号： 95(MW2011 31-40)  ページ： 29-34  発行年： 2011年06月16日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ミリ波帯CMOS基板上伝送線路型スパイラルインダクタの特性を効率的に電磁界シミュレーションで予測するためのモデリングについて検討した。シリコン基板が見える構造ではシリコン表面のシリサイド,ウェル,拡散層のモデリングが重要であることがわかった。1.5周伝送線路型スパイラルインダクタの損失を調べ,線路間の間隔が20μm以上になると,線路部,コーナー部,交差部の2ポートSパラメータを接続した結果は全体構造の電磁界解析結果と一致し,線路間の結合が無視できて長さが同じ直線状線路と同一の特性となることがわかった。また,伝送線路型半周スパイラルインダクタの実測値からインダクタンス値,抵抗値,Q値を抽出し,損失が少ない線路ほどQ値が高いことがわかった。(著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜インダクタ ,  電磁場解析 ,  シリコンウエハ ,  電磁界数値解析
準シソーラス用語： *オンチップインダクタ ,  シリコン基板 ,  *スパイラルインダクタ ,  電磁界シミュレーション

分類 (1件)： LCR部品  (NA05030D)

引用文献 (5件)：

• DOAN, C. H. Design considerations for 60 GHz CMOS radios. IEEE Communications Magazine. 2004, 42, 12, 132-140
• RAZAVI, B. Design of millimeter-wave CMOS radios : a tutorial. IEEE Trans. Circuits Systems. 2009, 56, 1, 4-16
• STARC教育推進室監修. アナログRF CMOS集積回路設計 応用編. 2011
• HIRANO, Takuichi. Thru-Line (TL) Calibration Technique for On-Wafer Measurement. Proceedings of International Symposium on Antennas and Propagation (ISAP), Macao, November 23-26, 2010. 2010
• GSM Solver Homepage. http://www-antenna.ee.titech.ac.jp/~hira/free_software/gsm_solver/

タイトルに関連する用語 (7件)： ミリ波 ,  CMOS ,  伝送線路 ,  スパイラルインダクタ ,  電磁界解析 ,  実測 ,  検証