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J-GLOBAL ID：201102214934352360   整理番号：11A0798094

110禁制反射XRDを用いた原子レベルで平坦なSiO₂/Si界面における歪の評価

著者 (12件)： 永田晃基 (明治大 理工) ,  服部真季 (明治大 理工) ,  小瀬村大亮 (明治大 理工) ,  武井宗久 (明治大 理工) ,  小椋厚志 (明治大 理工) ,  小金澤智之 (高輝度光科学研究セ) ,  廣澤一郎 (高輝度光科学研究セ) ,  諏訪智之 (東北大 未来研) ,  寺本章伸 (東北大 未来研) ,  服部健雄 (東北大 未来研) ,  大見忠弘 (東北大 未来研) ,  大見忠弘 (東北大 WPI-AIMR)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 58th  ページ： ROMBUNNO.26A-P7-8  発行年： 2011年03月09日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *禁制反射 ,  *X線回折 ,  *二酸化ケイ素 ,  *ケイ素 ,  *界面 ,  *歪 ,  Ramanスペクトル ,  歪解析
準シソーラス用語： Ramanピークシフト ,  XRD

分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (8件)： 禁制反射 ,  XRD ,  原子 ,  SiO2 ,  Si ,  界面 ,  歪 ,  評価