文献

J-GLOBAL ID：201102218673647800   整理番号：11A1489905

横方向電流注入型レーザにおける内部量子効率の量子井戸構造依存性

著者 (8件)： 二見充輝 (東京工大) ,  進藤隆彦 (東京工大) ,  長部亮 (東京工大) ,  小口貴之 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 72nd  ページ： ROMBUNNO.1P-ZL-2  発行年： 2011年08月16日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *注入レーザ ,  *量子効率 ,  量子井戸 ,  *量子井戸レーザ ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *ヒ化リン化インジウムガリウム ,  *リン化インジウム ,  歪層量子井戸 ,  MOCVD ,  ドライエッチング ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： *内部量子効率 ,  電流注入 ,  ひ化インジウムガリウム ,  OMVPE

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： 横方向 ,  注入型レーザ ,  内部量子効率 ,  量子井戸 ,  構造依存性