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J-GLOBAL ID：201102219128860349   整理番号：11A1489943

半導体装荷型メタマテリアルにおけるキャリア濃度に依存した共振周波数変化

著者 (7件)： 明賀聖慈 (東京工大) ,  雨宮智宏 (量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  石川篤 (理研) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  田中拓男 (理研) ,  荒井滋久 (東京工大) ,  荒井滋久 (量子ナノエレクトロニクス研究セ)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 72nd  ページ： ROMBUNNO.31P-ZN-14  発行年： 2011年08月16日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *人工材料 ,  *キャリア密度 ,  *共振周波数 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  MOCVD ,  薄膜成長 ,  微小共振器 ,  透過率 ,  電磁場解析 ,  *メタマテリアル ,  透過スペクトル
準シソーラス用語： OMVPE

分類 (1件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

タイトルに関連する用語 (3件)： メタマテリアル ,  キャリア濃度 ,  共振周波数