文献

J-GLOBAL ID：201102220679038664   整理番号：11A0736668

CMOS基板上FETのディエンベディング用オープン・ショートパターンの電磁界解析

著者 (5件)： 三平純希 (東京工大) ,  平野拓一 (東京工大) ,  岡田健一 (東京工大) ,  広川二郎 (東京工大) ,  安藤真 (東京工大)
資料名： 電子情報通信学会大会講演論文集  (電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集)
巻： 2011  号： エレクトロニクス1  ページ： 85  発行年： 2011年02月28日 
JST資料番号： G0508A  ISSN： 1349-1369  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ディエンベディング用オープン・ショートパターンの電磁界解析を行った。今後はオープン・ショートパターンを用いた従来法のディエンベディングおよび電磁界解析を用いたディエンベディングを比較し,FETの正確な特性抽出法を確立する。(著者抄録)

シソーラス用語： *CMOS構造 ,  基板 ,  *FET【トランジスタ】 ,  ケイ素 ,  *回路設計 ,  解析モデル ,  *電磁場解析 ,  計算機シミュレーション ,  マイクロストリップ線路 ,  接地 ,  *短絡【電気】 ,  周波数特性 ,  *埋込み【挿入】 ,  *MOS構造 ,  計算機利用 ,  利用

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： CMOS ,  FET ,  ショート ,  電磁界解析