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J-GLOBAL ID：201102229696738200   整理番号：11A1623306

イリジウム錯体触媒による高濃度ギ酸からの水素製造

著者 (2件)： 村中誠 (岡山大) ,  押木俊之 (岡山大)
資料名： 触媒討論会討論会A予稿集  (触媒討論会(A)講演予稿集)
巻： 108th  ページ： 25  発行年： 2011年09月13日 
JST資料番号： S0874A  ISSN： 1343-9936  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 水素貯蔵物質としてのギ酸が注目されている。我々は新たに合成したイリジウム錯体が,高活性なギ酸分解触媒として機能することを見いだした。分解反応は60°C付近ですみやかに進行し,1時間あたりのTOF値は5000を超える。この触媒系の大きな特徴は,高濃度の98%ギ酸から,アミンなどの添加物なしで直接に水素をとりだせる点である。(著者抄録)

シソーラス用語： *遷移金属触媒 ,  *イリジウム錯体 ,  *生産 ,  *製造 ,  機能材料 ,  接触分解 ,  ターンオーバー数 ,  ホスフィン錯体 ,  ジケトン ,  ヒドリド錯体 ,  カルボニル錯体 ,  *脂肪族カルボン酸 ,  芳香族化合物 ,  有機リン化合物 ,  脂肪族ケトン ,  芳香族ケトン ,  水素貯蔵材料 ,  *イリジウム触媒 ,  *水素製造
準シソーラス用語： ターンオーバ頻度 ,  水素貯蔵物質

分類 (3件)： 不均一系触媒反応  (CB06100E) ,  気体燃料の製造  (YE02030F) ,  脂肪族カルボン酸・ペルオキシカルボン酸・チオカルボン酸  (CF03200E)

物質索引 (7件)： 2-ピリジニルジフェニルホスフィン ,  dppe ,  アセチルアセトン ,  ギ酸 ,  ジベンゾイルメタン ,  トリフェニルホスフィン ,  N,N-ジメチル-4-(ジシクロヘキシルホスフィノ)アニリン

タイトルに関連する用語 (4件)： イリジウム錯体触媒 ,  高濃度 ,  ギ酸 ,  水素製造