文献

J-GLOBAL ID：201102233335360464   整理番号：11A0801922

YAGレーザーを用いたパルスレーザーメルティング法による硫黄を過飽和ドープした結晶シリコンの作成

著者 (10件)： 中川将 (甲南大 理工) ,  内藤宗幸 (甲南大 理工) ,  香野淳 (福岡大) ,  吉田岳人 (阿南工高専) ,  杉村陽 (甲南大 理工) ,  WARRENDER J. M. (U.S. Army ARDEC) ,  WILLIAMS J. S. (Australian National Univ.) ,  CHARNVANICHBORIKARN S. (U.S. Army ARDEC) ,  AZIZ M. J. (Harvard Univ.) ,  梅津郁朗 (甲南大 理工)
資料名： Memoirs of Konan University. Science and Engineering Series  (Memoirs of Konan University. Science and Engineering Series)
巻： 57  号： 1  ページ： 29-34  発行年： 2010年12月25日 
JST資料番号： F0795A  ISSN： 1348-0383  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： パルスレーザーメルティング(PLM)法に主としてエキシマレーザーが使用されているが,よりパルス幅の短いYAGレーザーを用いて行ったときの硫黄濃度,赤外吸収を測定して,エキシマレーザーで作製された試料と比較した。YAGレーザーを用いてPLMを行うと,硫黄をシリコン結晶中に過飽和ドープすることが要因となって見られる,特有の赤外の光吸収は,エキシマレーザーによる試料と同じように見ることができた。結晶性では劣るものの,YAGレーザーにより作製した試料は拡散を抑えられ,シリコン結晶中により高濃度に硫黄をドープする方法として期待できることが判明した。これらの結果,最適化によって単結晶度の向上,およびそれに伴う赤外吸収の増強が期待できることを示唆している。

シソーラス用語： *YAGレーザ ,  エキシマレーザ ,  硫黄 ,  過飽和 ,  ドーピング ,  光吸収 ,  単結晶 ,  結晶度 ,  パルス幅 ,  *パルスレーザ ,  *融解法 ,  ケイ素 ,  赤外吸収 ,  単結晶シリコン

分類 (2件)： 電子回折法  (BK01030T) ,  硫黄とその化合物  (YB02020L)

タイトルに関連する用語 (5件)： YAGレーザー ,  硫黄 ,  過飽和 ,  ドープ ,  結晶シリコン