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J-GLOBAL ID：201102239778721336   整理番号：11A1164097

インフライト・プラズマCVDによるシリコン量子ドット合成:太陽電池への応用

著者 (4件)： 野崎智洋 (東京工大 大学院) ,  GRESBACK Ryan (東京工大 大学院) ,  鐘ケ江俊輔 (東京工大 大学院) ,  岡崎健 (東京工大 大学院)
資料名： 日本伝熱シンポジウム講演論文集(CD-ROM)
巻： 48th  ページ： ROMBUNNO.D234  発行年： 2011年 
JST資料番号： F0872D  ISSN： 1346-1532  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 次世代高効率太陽光発電の実現を目的として,シリコン量子ドット太陽電池を開発している。本報では,シリコン量子ドットを安価かつ大量合成する方法として開発した,インフライト・プラズマCVD法の概要を紹介する。シリコン量子ドットの粒径,光学特性を評価した結果を示した後,量子ドット型太陽電池開発の展望を述べる。(著者抄録)

シソーラス用語： *プラズマCVD ,  ケイ素 ,  量子ドット ,  *化学合成 ,  太陽電池 ,  太陽光発電 ,  粒径 ,  光学的性質 ,  *量子ドット太陽電池
準シソーラス用語： シリコン ,  *量子ドット型太陽電池

分類 (2件)： 気相めっき  (WC08022K) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマCVD ,  シリコン ,  量子ドット ,  太陽電池 ,  応用