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J-GLOBAL ID：201102251104978510   整理番号：11A1491467

極性を有するZnO基板上のペンタセン薄膜の成長過程

著者 (9件)： 中村立 (大阪府大 大学院) ,  長田貴弘 (物質・材料研究機構) ,  早川竜馬 (物質・材料研究機構) ,  OH S. J. (九大 大学院) ,  廣芝伸哉 (物質・材料研究機構) ,  藤村紀文 (大阪府大 大学院) ,  知京豊裕 (物質・材料研究機構) ,  若山裕 (物質・材料研究機構) ,  若山裕 (九大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 72nd  ページ： ROMBUNNO.31A-ZQ-6  発行年： 2011年08月16日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ポリアセン ,  ナノ構造 ,  *超薄膜 ,  酸化亜鉛 ,  ハイブリッド複合材料 ,  ナノシート ,  ナノ薄膜 ,  *ペンタセン誘導体 ,  有機無機ハイブリッド複合体
準シソーラス用語： *ペンタセン類 ,  有機無機ハイブリッド複合材料

分類 (2件)： 四環以上の炭素縮合多環化合物  (CF06090C) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： 極性 ,  ZnO ,  ペンタセン ,  薄膜 ,  成長過程