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J-GLOBAL ID：201102252609602545   整理番号：11A0109015

パルス電圧印加によるテトラセン電界効果トランジスタ内の電界発光メカニズム

Mechanism of electroluminescence in tetracene field-effect transistor under a pulse voltage application

著者 (4件)： 大嶋優記 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  金英輝 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  間中孝彰 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  岩本光正 (東京工大 大学院理工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 276(OME2010 55-60)  ページ： 1-5  発行年： 2010年11月05日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： テトラセン電界効果トランジスタ(FET)に対して,パルス電圧を印加した際に観測されるエレクトロルミネッセンス(EL)の発光メカニズムを明らかにするため,電界誘起光第2次高調波発生(EFISHG)を利用した電界観測を行った。測定結果から,材料内に蓄積された正孔が形成する電界によって電子が自発的に材料内に注入されるため,これらが蓄積している正孔と再結合し,ELが観測されることを明らかにした。また,このような電界観測技術を利用することで,材料内に残留しているトラップ電荷の詳細を明らかにすることも可能であり,FET内でのキャリア挙動を詳細に解析できることを示した。(著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *エレクトロルミネセンス ,  *有機半導体 ,  分布 ,  電圧 ,  過渡現象 ,  ニトロソ化合物 ,  多窒素化合物 ,  電界分布
準シソーラス用語： パルス電圧 ,  *電界効果トランジスタ ,  有機発光トランジスタ

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

物質索引 (1件)： テトラセン

タイトルに関連する用語 (6件)： パルス ,  電圧印加 ,  テトラセン ,  電界効果トランジスタ ,  電界発光 ,  メカニズム