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J-GLOBAL ID：201102269840153265   整理番号：11A1492088

積層量子ドット構造におけるキャリア寿命に対する中間層膜厚依存性

著者 (11件)： 楢原康平 (東大 大学院) ,  楢原康平 (東大 先端科学技研セ) ,  庄司靖 (筑波大 大学院) ,  吉田勝尚 (東大 大学院) ,  吉田勝尚 (東大 先端科学技研セ) ,  星井拓也 (東大 大学院) ,  星井拓也 (東大 先端科学技研セ) ,  田中秀治 (神戸大 大学院) ,  喜多隆 (神戸大 大学院) ,  岡田至崇 (東大 大学院) ,  岡田至崇 (東大 先端科学技研セ)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 72nd  ページ： ROMBUNNO.1A-ZA-10  発行年： 2011年08月16日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 多層膜 ,  *量子ドット ,  *キャリア寿命 ,  依存性 ,  層 ,  *光ルミネセンス ,  減衰時間 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  中間層 ,  膜厚依存性

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 量子ドット ,  キャリア寿命 ,  中間層 ,  膜厚依存性