文献

J-GLOBAL ID：201102271035828676   整理番号：11A1491282

EFISHG測定によるITO/PI/P3HT/Au構造素子内のP3HT層の電界分布評価

著者 (4件)： 宮沢亮 (東京工大 理工) ,  田口大 (東京工大 理工) ,  間中孝彰 (東京工大 理工) ,  岩本光正 (東京工大 理工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 72nd  ページ： ROMBUNNO.1A-R-11  発行年： 2011年08月16日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 第二高調波発生 ,  *分布 ,  *酸化インジウムスズ ,  *ポリイミド ,  *ポリヘキシルチオフェン ,  *金 ,  高分子半導体 ,  半導体薄膜 ,  金属薄膜 ,  誘電体薄膜 ,  *MIS構造 ,  容量電圧特性 ,  電荷変調分光法 ,  *電界分布
準シソーラス用語： *P3HT【重合体】 ,  *電場分布

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (7件)： ITO ,  pI ,  P3HT ,  Au ,  構造素子 ,  電界分布 ,  評価