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J-GLOBAL ID：201102281437933536   整理番号：11A0908235

タイプII型新規半導体ヘテロ構造CuInS₂/CdSナノ粒子の合成

著者 (3件)： 井上洸紀 (筑波大 大学院) ,  猿山雅亮 (筑波大 大学院) ,  寺西利治 (筑波大 大学院)
資料名： 日本化学会講演予稿集  (日本化学会春季年会講演予稿集)
巻： 91st  号： 3  ページ： 946  発行年： 2011年03月11日 
JST資料番号： S0493A  ISSN： 0285-7626  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 異種半導体ヘテロ接合ナノ粒子は,各半導体のバンド構造の位置関係がタイプII型をとる場合,各相間でキャリアの空間的分離が生じ,電荷分離状態の長寿命化が可能となるため,太陽電池や光触媒に応用できる。本研究では,可視光照射下での高効率光触媒への応用を目指し,CuInS₂とCdSからなるタイプII型CuInS₂/CdSヘテロ接合ナノ粒子の合成を行い,CdS相の結晶構造がヘテロ構造ナノ粒子の形状に与える影響について検討したので報告する。(著者抄録)

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  *硫化銅 ,  *ヘテロ接合 ,  *ナノ粒子 ,  構造 ,  X線回折 ,  結晶構造 ,  電荷分離 ,  光触媒 ,  化学合成 ,  透過型電子顕微鏡 ,  コアシェル構造

分類 (3件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (4件)： タイプ ,  ヘテロ構造 ,  CuInS2 ,  CdSナノ粒子