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J-GLOBAL ID：201102285270117591   整理番号：11A1491564

ALD Al₂O₃界面層を用いたHfO₂/InGaAs MOS界面特性の改善

著者 (14件)： 鈴木麗菜 (東大) ,  LEE S. (東大) ,  KIM S.H. (東大) ,  星井拓也 (東大) ,  横山正史 (東大) ,  田岡紀之 (東大) ,  JEVASUWAN W. (産業技術総合研) ,  前田辰郎 (産業技術総合研) ,  安田哲二 (産業技術総合研) ,  市川磨 (住友化学) ,  福原昇 (住友化学) ,  秦雅彦 (住友化学) ,  竹中充 (東大) ,  高木信一 (東大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 72nd  ページ： ROMBUNNO.1P-Q-6  発行年： 2011年08月16日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MOS構造 ,  化合物半導体 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  酸化ハフニウム ,  化学蒸着 ,  *アルミナ ,  境界層 ,  界面 ,  特性 ,  分散【dispersion】 ,  容量電圧特性 ,  界面層 ,  周波数分散 ,  層
準シソーラス用語： ALD【蒸着】 ,  界面特性

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： ALD ,  Al2O3 ,  界面層 ,  HfO2 ,  InGaAs ,  MOS ,  界面特性