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J-GLOBAL ID：201102285703082895   整理番号：11A0866302

低温還元を通して得た高度還元アナターゼTiO₂-δ薄膜

Highly Reduced Anatase TiO_2-δ Thin Films Obtained via Low-Temperature Reduction

著者 (6件)： KITADA Atsushi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KASAHARA Shigeru (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  TERASHIMA Takahito (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  YOSHIMURA Kazuyoshi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KOBAYASHI Yoji (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KAGEYAMA Hiroshi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 4  号： 3  ページ： 035801.1-035801.3  発行年： 2011年03月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 還元アナターゼTiO₂-δ薄膜の準備と物理特性を報告するCaH₂を使った低温(低T)還元を通して得た。酸素量はこれまでに,報告されたより幅広い範囲で制御した。高度還元アナターゼ薄膜は金属状態および半導体状態の両方で室温で10^-3Ωcm程度の低い抵抗率を示した。最も伝導性金属的試料は,金属ドープアナターゼ薄膜のキャリア濃度に匹敵する1.6×10²¹ cm^-3の非常に高いキャリア濃度有した。さらに,薄膜の磁気抵抗は,二回δの関数としてその符号を変えた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： アナターゼ ,  *酸化チタン ,  *薄膜 ,  還元 ,  酸素 ,  抵抗 ,  磁気抵抗 ,  金属 ,  半導体 ,  ドーピング

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (21件)：

• FURUBAYASHI, Y. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 252101
• HITOSUGI, T. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, L1063
• YOON, S. D. J. Phys. : Condens. Matter. 2006, 18, L355
• SBAI, N. J. Appl. Phys. 2008, 104, 033529
• TANG, H. J. Appl. Phys. 1994, 75, 2042

タイトルに関連する用語 (5件)： 低温 ,  還元 ,  高度 ,  アナターゼ ,  薄膜