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J-GLOBAL ID：201102287052474350   整理番号：11A1881981

オンウェーハ測定用GSGプローブの電磁界シミュレーションモデリング

A Study of Electromagnetic Modeling of GSG Probes for On-Wafer Measurement

著者 (4件)： 平野拓一 (東京工大) ,  岡田健一 (東京工大) ,  広川二郎 (東京工大) ,  安藤真 (東京工大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 111  号： 224(EST2011 64-82)  ページ： 15-20  発行年： 2011年09月29日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： チップ上に作成したアナログRF回路のオンウェーハ測定ではプローブをパッドに当てて励振する。このような構造の電磁界シミュレーションを行うためには,パッド部を含めた電磁界モデリングが必要となる。著者らは過去に対称性を有する被測定回路のパッド部の電磁界シミュレーション励振モデルについて検討を行い,実測との良好な一致を確認した。本稿では被測定回路が対称性を有しない一般の場合に拡張して,パッド部を含めたアナログRF回路の電磁界シミュレーション励振モデルについて検討した結果を報告する。(著者抄録)

シソーラス用語： *回路試験 ,  *プローブ ,  CMOS集積回路 ,  電磁界数値解析
準シソーラス用語： CMOS回路 ,  *オンウェーハ測定 ,  ミリ波回路 ,  *高周波プローブ ,  *集積回路試験 ,  電磁シミュレーション

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (3件)： プローブ ,  電磁界シミュレーション ,  モデリング