文献

J-GLOBAL ID：201102290967339049   整理番号：11A1491620

プラズマ酸化プロセスで作製されたSiO₂膜の評価

著者 (10件)： 山口拓也 (明治大) ,  永田晃基 (明治大) ,  永田晃基 (日本学術振興会) ,  小椋厚志 (明治大) ,  小金沢智之 (高輝度光科学研究セ) ,  廣沢一郎 (高輝度光科学研究セ) ,  壁義郎 (東京エレクトロン山梨) ,  佐藤吉宏 (東京エレクトロン山梨) ,  石塚修一 (東京エレクトロン山梨) ,  廣田良浩 (東京エレクトロ)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 72nd  ページ： ROMBUNNO.2A-M-6  発行年： 2011年08月16日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *プラズマ化学反応 ,  *酸化 ,  *二酸化ケイ素 ,  *半導体薄膜 ,  X線光電子分光法 ,  *プラズマ酸化

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマ ,  酸化プロセス ,  作製 ,  SiO2 ,  評価