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J-GLOBAL ID：201102294872484918   整理番号：11A0796889

IZO/α-NPD/Alq₃/Al構造EL素子の発光強度の周波数依存特性

著者 (6件)： 貞方敦雄 (東京工大 大学院) ,  大嶋優記 (東京工大 大学院) ,  田口大 (東京工大 大学院) ,  福澤雅弘 (九州産業大) ,  間中孝彰 (東京工大 大学院) ,  岩本光正 (東京工大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 58th  ページ： ROMBUNNO.26P-BD-17  発行年： 2011年03月09日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  *放射強度 ,  *周波数依存性 ,  機構 ,  層 ,  *有機EL素子 ,  *発光強度
準シソーラス用語： 劣化機構 ,  正孔輸送層

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

物質索引 (2件)： α-NPD ,  トリス(8-ヒドロキシキノリン)アルミニウム

タイトルに関連する用語 (5件)： α-NPD ,  Al ,  EL素子 ,  発光強度 ,  周波数依存