特許

J-GLOBAL ID：201103006447512515

光スイッチ装置の製造方法

発明者： 浦野 正美 ,  石井 仁 ,  島村 俊重 ,  田辺 泰之 ,  町田 克之
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-272897
公開番号（公開出願番号）：特開2004-109580
特許番号：特許第3819820号
出願日： 2002年09月19日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板上に、センサ電極部の信号に基づいてミラーの回動角度を検出するセンサ回路、及び前記ミラーの回動角度に基づいて制御電極部に電圧を与えることにより前記ミラーの回動動作を制御する制御回路を形成する工程と、 前記半導体基板上に前記制御回路及び前記センサ回路を覆う層間絶縁膜を形成する工程と、 前記層間絶縁膜上にシード層を形成する工程と、 前記シード層の上に第1領域と複数の第2領域と複数の第3領域とが開口した第1犠牲パターンを形成する工程と、 前記第1領域、前記第2領域及び前記第3領域に露出した前記シード層上に、メッキ法により前記第1犠牲パターンと実質的に同じ膜厚の第1金属パターン、この第1金属パターンと同膜厚以下の第2金属パターン及び第3金属パターンを形成する工程と、 前記第1金属パターン、前記第2金属パターン及び前記第3金属パターンをそれぞれ所定の膜厚に形成した後、前記第1犠牲パターン、前記第2金属パターン及び前記第3金属パターンの上に、前記第1領域上の第4領域が開口した第2犠牲パターンを形成する工程と、 前記第4領域に露出した前記第1金属パターンの表面に、メッキ法により前記第2犠牲パターンと実質的に同じ膜厚の第4金属パターンを形成する工程と、 前記第4金属パターンを所定の膜厚に形成した後、前記第1犠牲パターンと前記第2犠牲パターンを除去する工程と、 これら犠牲パターンを除去した後、前記第1金属パターン、前記第2金属パターン及び前記第3金属パターンをマスクとして前記シード層を選択的に除去し、前記第1金属パターンと前記第4金属パターンとの積層体からなる支持部材と、複数の前記第2金属パターンからなる各々が前記層間絶縁膜上で分離した複数の前記制御電極部と、複数の前記第3金属パターンからなる各々が前記層間絶縁膜上で分離した複数の前記センサ電極部とを形成する工程と、 複数の開口領域内に各々前記ミラーを備えてこのミラーが連結部を介して回動可能に連結された導電性材料からなるミラー基板を用意する工程と、 前記支持部材の上に前記ミラー基板を接続固定し、前記ミラー基板の各ミラーを前記制御電極部及び前記センサ電極部の上に離間して配置する工程とを備え、 前記制御電極部は、前記制御回路から信号供給が可能なように前記制御回路と電気的に接続された状態に形成され、 前記センサ電極部は、前記センサ回路へ信号出力が可能なように前記センサ回路と電気的に接続された状態に形成されることを特徴とする光スイッチ装置の製造方法。

IPC (4件)：

G02B 26/08 ( 200 6.01) ,  B81B 3/00 ( 200 6.01) ,  B81B 7/04 ( 200 6.01) ,  B81C 1/00 ( 200 6.01)

FI (4件)：

G02B 26/08 E ,  B81B 3/00 ,  B81B 7/04 ,  B81C 1/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 空間光変調器およびその製造方法、並びにその空間光変調器を用いた電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-043603   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 可変形状鏡
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-365799   出願人：オリンパス光学工業株式会社
• 特開平4-211218
  
• 制御回路基板に対しDMDを集積するための構造およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-158719   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド