特許

J-GLOBAL ID：201103008521908615

金属酸化物ナノ薄膜の製造方法、該方法により得られたナノ薄膜及び該ナノ薄膜を有する誘電材料

発明者： 国武 豊喜 ,  一ノ瀬 泉 ,  青木 芳尚 ,  高木 梨恵
出願人/特許権者： 独立行政法人理化学研究所
代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-095770
公開番号（公開出願番号）：特開2004-299003
特許番号：特許第4478767号
出願日： 2003年03月31日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基材表面に金属塩を含む水溶液を接触させることにより、前記金属塩に含まれる金属イオンを前記基材表面に、静電的に、又は配位結合を介して化学的に吸着させる工程Aと、 前記基材表面に吸着させた金属イオンを純水と接触させることにより、該金属イオンに水酸化物イオンを配位させて該金属イオンに配位した水酸基を形成するとともに、該水酸基と複数の該金属イオンとを橋かけする工程Bとからなり、 前記金属塩として、オーレーション可能な金属イオンを含む金属塩を用いることを特徴とする金属酸化物ナノ薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

C01B 13/14 ( 200 6.01) ,  B82B 3/00 ( 200 6.01) ,  B01J 19/00 ( 200 6.01) ,  B82B 1/00 ( 200 6.01) ,  H01L 21/283 ( 200 6.01) ,  H01L 21/316 ( 200 6.01)

FI (7件)：

C01B 13/14 Z ,  B82B 3/00 ,  B01J 19/00 K ,  B82B 1/00 ,  H01L 21/283 B ,  H01L 21/316 B ,  H01L 21/316 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 金属酸化物薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-051604   出願人：株式会社トクヤマ