半導体受光装置及びその特性検査方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：松元洋 , 光石俊郎 , 田中康幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-030137
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228531
特許番号：特許第3690571号
出願日： 1999年02月08日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体受光層の上層或いはその周辺部に検査光入射用の窓を設けた端面入射型半導体受光素子で構成され、光入射端面を形成するための劈開を行う前のウェハ状態で検査光を入射して前記端面入射型半導体受光素子の特性を確認することができることを特徴とする半導体受光装置。

IPC (1件)：