特許
J-GLOBAL ID：201103019248676341
化合物半導体基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-108017
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305160
特許番号：特許第3795765号
出願日： 2001年04月06日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 単結晶基板上に、該単結晶基板との間に部分的に空間を設けた状態で結晶成長させてなる化合物半導体層を形成する工程と、
前記単結晶基板と接合している前記化合物半導体層上および前記化合物半導体層の結晶成長させた際に生じた会合部上に絶縁膜もしくは高融点金属膜を形成する工程と、
前記化合物半導体層上に別の化合物半導体層を結晶成長させて形成する工程と、
前記単結晶基板を透過して前記化合物半導体層に吸収されるレーザ光を前記単結晶基板側より前記化合物半導体層に照射して前記単結晶基板と前記化合物半導体層との界面を溶融させることにより前記化合物半導体層を前記単結晶基板より剥離する工程と
を備えたことを特徴とする化合物半導体基板の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/268 ( 200 6.01)
, H01L 21/02 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
, H01L 33/00 ( 200 6.01)
, H01S 5/02 ( 200 6.01)
H01L 21/268 E
, H01L 21/02 B
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
, H01S 5/02
