特許
J-GLOBAL ID：201103024195606820
二重トンネル接合素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-084684
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282893
特許番号：特許第3784740号
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
請求項（抜粋）：
【請求項1】柔構造を有する二重トンネル接合素子において、
(a)導電性の金属、半導体または有機材料からなる第1電極と、
(b)導電性の金属、半導体または有機材料からなる第2電極と、
(c)クーロン島として機能する、金属、半導体または有機分子からなる中間電極と、
(d)前記第1電極と前記中間電極の間に存在し電子または正孔に対して障壁となる、柔構造を有する第1障壁層と、
(e)前記第2電極と前記中間電極の間に存在し電子または正孔に対して障壁となる、柔構造を有する第2障壁層と、
(f)前記第1電極と、第1障壁層と、中間電極と、第2障壁層と、第2電極との順に並んでいる二重トンネル接合を備え、
(g)前記第1電極と第2電極の間に電圧を加えた状態で、前記第1電極と中間電極の間の電子または正孔の出入りに起因したクーロン力の摂動と前記中間電極の機械的固有振動とが共振することにより、前記二重トンネル接合を流れるトンネル電流の電圧依存性が負性微分抵抗を発現する構造を有することを特徴とする二重トンネル接合素子。
IPC (3件)：
H01L 29/88 ( 200 6.01)
, H01L 29/06 ( 200 6.01)
, H01L 29/66 ( 200 6.01)
H01L 29/88 Z
, H01L 29/06 601 N
, H01L 29/66 S
