特許

J-GLOBAL ID：201103026764427737

窒化物半導体素子の製造方法

発明者： 冨谷 茂隆 ,  日野 智公 ,  山口 恭司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 森 幸一 ,  森 幸一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-031378
公開番号（公開出願番号）：特開2002-237656
特許番号：特許第4639484号
出願日： 2001年02月07日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上に、当該基板に対して格子不整合及び熱的不整合の少なくとも一方の不整合性を有する第1の窒化物半導体層を成長させる第1の工程と、 第1の窒化物半導体層上に所定のパターンを有するマスクを形成し、次いでマスクから露出した第1の窒化物半導体層及び基板の上層部を除去して、基板を露出させた凹部と第1の窒化物半導体層及び基板の上層部からなる凸部とを有する凹凸構造を基板面に形成する第2の工程と、 格子不整合及び熱的不整合の少なくとも一方の不整合性を有することにより基板近傍領域に形成される高密度結晶欠陥領域が存在する第1の窒化物半導体層下層部を少なくとも含む凸部下部に、凸部下部の側面を覆う、SiNx 膜からなる側壁保護膜を形成する第3の工程と、 側壁保護膜を凸部下部の側面に備えた凹凸構造上に第2の窒化物半導体層を成長させる第4の工程とを有する窒化物半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01S 5/223 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01S 5/223 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (1件)

• トレンチ内に側方に成長させられるエピタキシャル材料及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-110251   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー