半導体発光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷義一 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-130525
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330622
特許番号：特許第3252998号
出願日： 1995年05月29日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】発光層と、該発光層の両側に設けられたp形クラッド層およびn形クラッド層とを有する半導体発光素子において、前記p形クラッド層およびn形クラッド層のそれぞれは異種半導体材料で構成され、前記p形クラッド層に、前記発光層からみて正孔に対する価電子帯不連続が零もしくは負の値であり、かつ電子に対する伝導帯不連続が正の値を有する半導体材料が用いられることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：