特許

J-GLOBAL ID：201103031585784539

窒化インジウムアルミニウム半導体の結晶成長方法

発明者： 東脇 正高
出願人/特許権者： 独立行政法人情報通信研究機構
代理人 (4件)： 小林 浩 ,  片山 英二 ,  小林 純子 ,  廣瀬 隆行
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-078231
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268495
特許番号：特許第3876323号
出願日： 2004年03月18日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 窒化ガリウムもしくは窒化インジウムガリウム上に、 RFプラズマにより窒素を含む原料ガスを分解して得た窒素ラジカルを窒素源として用いる分子線エピタキシー成長法により、一般式InxAl1-xN(0.05<x<0.25)で表される窒化インジウムアルミニウムを200°C以上450°C以下において成長させる、 窒化インジウムアルミニウム半導体結晶の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  C30B 29/38 ( 200 6.01) ,  C30B 23/08 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 C ,  C30B 23/08 M

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化インジウム系化合物半導体の積層方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-391754   出願人：独立行政法人通信総合研究所
• 3-5族化合物半導体および発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-177335   出願人：住友化学工業株式会社