特許
J-GLOBAL ID：200903018629861523
3-5族化合物半導体および発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-177335
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027640
出願日： 1995年07月13日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：
【要約】【課題】優れた発光効率を有する発光素子および該発光素子を与える3-5族化合物半導体を提供する。【解決手段】〔1〕一般式Ga<SB>a </SB>Al<SB>b </SB>N(ただし、a+b=1、0≦a≦1、0≦b≦1)で表される第1の3-5族化合物半導体1の上に、一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(ただし、x+y+z=1、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1)で表される厚みが10Å以上90Å以下の第2の3-5族化合物半導体2を、気相成長法により成長させてなる積層構造を含む3-5族化合物半導体であって、第1の3-5族化合物半導体層のX線回折における(0002)面の回折ピークのロッキングカーブ半値幅が13分より小さいことを特徴とする3-5族化合物半導体。〔2〕第2の3-5族化合物半導体の層中に含まれるSi、Ge、Cd、MgおよびZnの各元素の濃度がいずれも1×10<SP>19</SP>cm<SP>-3</SP>以下であることを特徴とする〔1〕記載の3-5族化合物半導体。〔3〕前記〔1〕または〔2〕記載の3-5族化合物半導体を用いた発光素子。
請求項（抜粋）：
一般式Ga<SB>a </SB>Al<SB>b </SB>N(ただし、a+b=1、0≦a≦1、0≦b≦1)で表される第1の3-5族化合物半導体の上に、一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y</SB>Al<SB>z </SB>N(ただし、x+y+z=1、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1)で表される厚みが10Å以上90Å以下の第2の3-5族化合物半導体を、気相成長法により成長させてなる積層構造を含む3-5族化合物半導体であって、第1の3-5族化合物半導体層のX線回折における(0002)面の回折ピークのロッキングカーブ半値幅が13分より小さいことを特徴とする3-5族化合物半導体。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/205
, H01S 3/18
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
, H01S 3/18
