可変容量素子及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山川政樹 , 黒川弘朗 , 山川茂樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-338807
公開番号（公開出願番号）：特開2006-147995
特許番号：特許第4410085号
出願日： 2004年11月24日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板の上に形成されて、前記半導体基板の上の所望の領域の外周を取り囲むように形成された側壁枠、及び前記側壁枠に支持されて前記半導体基板の面と対向する板状の天井壁から構成された容器構造と、前記半導体基板の上の前記領域の内部に形成されて前記容器構造の内部に封止された容量素子とを少なくとも備え、前記容量素子は、前記半導体基板の上に固定された固定電極と、前記固定電極の上に所定距離離間して対向配置された板状の金属材料からなる可動電極と、この可動電極に一端が接続された金属材料からなる複数のばね梁と、このばね梁の他端に接続され、前記可動電極を前記半導体基板の上に支持する複数のアンカーと、前記可動電極の前記固定電極との対向面に形成された第1絶縁膜と、前記可動電極の前記対向面とは反対側の面に形成された第2絶縁膜とを少なくとも備え、前記固定電極及び前記可動電極で平行平板容量が形成されていることを特徴とする可変容量素子。

IPC (5件)：

H01G 5/18 ( 200 6.01) , B81B 3/00 ( 200 6.01) , B81C 1/00 ( 200 6.01) , H01L 21/822 ( 200 6.01) , H01L 27/04 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01G 5/18 , B81B 3/00 , B81C 1/00 , H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

MEMSの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-046878 出願人：日本電信電話株式会社
可変キャパシタ、それを備えたパッケージ及び可変キャパシタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-338655 出願人：富士通メディアデバイス株式会社, 富士通株式会社
特開平2-100224

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