特許

J-GLOBAL ID：201103054650308286

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 森田 浩正 ,  堀川 剛 ,  小林 和弘 ,  松本 隆夫 ,  羽山 昌宏
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願昭63-175512
公開番号（公開出願番号）：特開平2-025074
特許番号：特許第2756121号
出願日： 1988年07月13日
公開日（公表日）： 1990年01月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】化学気相成膜法により絶縁性基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、シリコン系半導体層、ソース電極及びドレイン電極を形成する薄膜トランジスタの製造方法において、上記ゲート電極側における上記シリコン系半導体層形成時に印加する高周波電力が、その反対側の上記シリコン系半導体層形成時に印加する高周波電力より低くなるような変化、上記ゲート電極側における上記シリコン系半導体層形成時に導入するシラン系ガスの希釈率が、その反対側の上記シリコン系半導体層形成時に導入するシラン系ガスの希釈率より小さくなるような変化のうちの少なくともいずれか一つの変化を行なうことにより、上記シリコン系半導体層の上記ゲート電極側において形成したシリコン系半導体層の電界効果移動度を、その反対側において形成したシリコン系半導体層の電界効果移動度より高くしたことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 618 E ,  H01L 29/78 611

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-087371
  
• 特開昭63-104379
  
• 特開昭60-052057