特許
J-GLOBAL ID：201103058445755119
半導体薄膜および半導体素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
角田 芳末
, 伊藤 仁恭
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-262412
公開番号（公開出願番号）：特開2006-013547
特許番号：特許第4042775号
出願日： 2005年09月09日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に、マスクを形成する工程と、
前記マスクを用いた選択成長によって複数のファセットが配列された下地半導体層を形成する工程と、
前記マスクを除去する工程と、
前記下地半導体層を覆う選択成長埋込み半導体層を成長させる成長工程と、を有し、
前記下地半導体層の前記ファセットは、前記下地半導体層の配置面に対して傾斜し、
前記選択成長埋込み半導体層の成長は、前記下地半導体層のファセットから前記下地半導体層の前記配置面にほぼ沿う方向に成長する過程を経て成長させて該選択成長埋込み半導体層の貫通転位が前記下地半導体層のファセットから前記下地半導体層の前記配置面にほぼ沿う方向に屈曲伸長する
ことを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
H01S 5/323 ( 200 6.01)
, H01L 33/00 ( 200 6.01)
H01S 5/323 610
, H01L 33/00 C
