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J-GLOBAL ID：200902177758327212   整理番号：97A0992997

低い貫通転位密度を持つ選択成長GaN膜中の欠陥構造

Defect structure in selectively grown GaN films with low threading dislocation density.

著者 (3件)： SAKAI A (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  SUNAKAWA H (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  USUI A (NEC Corp., Ibaraki, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 71  号： 16  ページ： 2259-2261  発行年： 1997年10月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 選択的に水素化物気相エピタクシーによって成長させたGaN膜中...

シソーラス用語： 転位【結晶】 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： 貫通転位密度 ,  選択成長 ,  GaN ,  欠陥構造