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J-GLOBAL ID:200902177758327212   整理番号:97A0992997

低い貫通転位密度を持つ選択成長GaN膜中の欠陥構造

Defect structure in selectively grown GaN films with low threading dislocation density.
著者 (3件):
資料名:
巻: 71  号: 16  ページ: 2259-2261  発行年: 1997年10月20日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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選択的に水素化物気相エピタクシーによって成長させたGaN膜中...
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分類 (2件):
分類
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半導体薄膜  ,  半導体の格子欠陥 
タイトルに関連する用語 (4件):
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