薄膜形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-099111
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032198
特許番号：特許第3492880号
出願日： 1997年04月16日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体装置における多層配線構造を構成する配線層間の絶縁膜を形成する薄膜形成方法であって、配線層が形成された半導体基板の配線間および配線上に高密度プラズマを用いた化学気相成長法により堆積薄膜を形成する第1の工程と、貼り合わせ薄膜が形成された基材と前記半導体基板とを、前記堆積薄膜と前記貼り合わせ薄膜とが向かい合うように貼り合わせる第2の工程と、引き続いて前記半導体基板を第1の温度に加熱して前記貼り合わせ薄膜を前記堆積薄膜上に形成する第3の工程と、前記基材を前記貼り合わせ薄膜より剥離する第4の工程とを備え、前記堆積薄膜表面の凹凸を吸収して表面が平坦となった前記貼り合わせ薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (1件)：