特許
J-GLOBAL ID：201103072867081873
半導体素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
角田 芳末
, 伊藤 仁恭
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-262413
公開番号（公開出願番号）：特開2006-019763
特許番号：特許第4255937号
出願日： 2005年09月09日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に形成された半導体層をエッチングしてなる複数の擬似ファセットが配列された下地半導体層と、
前記下地半導体層を覆う選択成長埋込み半導体層と、
前記選択成長埋込み半導体層上に形成された半導体素子本体と、を有し、
前記擬似ファセットは、前記下地半導体層の配置面に対して傾斜する面によって形成され、
前記選択成長埋込み半導体層中の貫通転位が、前記下地半導体層の擬似ファセットから前記下地半導体層の前記配置面にほぼ沿う方向に屈曲伸長され、
前記下地半導体層と前記選択成長埋込み半導体層との結晶方位のずれが0.1°以下とされた
ことを特徴とする半導体素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
引用文献：
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