特許
J-GLOBAL ID：201103079421740444
化合物半導体装置の製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 正治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-209920
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045632
特許番号：特許第3312788号
出願日： 1993年08月02日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の導電型を有する第1の化合物半導体層と、上記第1の化合物半導体層にそれとの間で端縁を外表面上に露出している接合を形成するように連接し且つ第1の導電型とは逆の第2の導電型を有する第2の化合物半導体層とを有する化合物半導体装置本体を用意する工程と、上記化合物半導体装置本体の外表面上に保護膜を形成する工程とを有する化合物半導体装置の製法において、上記化合物半導体装置本体を用意する工程後、上記保護膜を形成する工程前において、上記化合物半導体装置本体の外表面に対する弗素を含むガスもしくはそれが励起されているガスを用いた表面処理によって、上記化合物半導体装置本体の外表面上に形成されている自然酸化膜を除去し且つ上記化合物半導体装置本体の外表面上にその外表面に臨んでいる化合物半導体を構成している元素の弗化物膜を形成する工程を有し、その工程後の工程において、上記化合物半導体装置本体に上記弗化物膜が分解する温度以上の温度を与えないことを特徴とする化合物半導体装置の製法。
IPC (4件)：
H01L 21/331
, H01L 21/314
, H01L 29/205
, H01L 29/737
H01L 21/314
, H01L 29/205
, H01L 29/72 H
