特許
J-GLOBAL ID：201103081462641994
半導体薄膜および半導体素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
角田 芳末
, 磯山 弘信
, 松隈 秀盛
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-336307
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164929
特許番号：特許第4032538号
出願日： 1998年11月26日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に、半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上にマスクを形成する工程と、
前記半導体層及びマスクを反応性イオンエッチングすることで、複数のファセットが配列された下地半導体層を形成する工程と、
該下地半導体層を覆う選択成長埋込み半導体層を成長させる成長工程とを有し、
前記ファセットは、前記下地半導体層の配置面に対して傾斜する面に形成し、
前記選択成長埋込み半導体層の成長は、前記下地半導体層のファセットから前記下地半導体層の前記配置面にほぼ沿う方向に成長する過程を経て成長させて該選択成長埋込み半導体層の貫通転位が前記下地半導体層のファセットから前記下地半導体層の前記配置面にほぼ沿う方向に屈曲伸長する
ことを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ( 200 6.01)
, H01S 5/323 ( 200 6.01)
H01L 33/00 C
, H01S 5/323 610
