特許

J-GLOBAL ID：201103093147594293

半導体装置の製造方法

発明者： 若林 整
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-183755
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036360
特許番号：特許第2833530号
出願日： 1995年07月20日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 シリコン基板上に、ゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、該ゲート電極の側壁部にシリコン酸化膜を形成する工程と、電界効果トランジスタのソース領域とドレイン領域を形成する工程と、化学反応型ドライエッチング法により、ゲート電極表面及びシリコン基板表面のダメージ層を除去する工程と、前記ダメージ層を除去する工程において生成した表面堆積物を除去してシリコン表面を清浄化する酸洗浄工程と、弗酸によりゲート電極及びシリコン基板上のシリコン酸化膜を除去する工程と、前記ゲート電極及びシリコン基板上に高融点金属膜を堆積したのち、熱処理により高融点金属シリサイド層を形成する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 301 Y ,  H01L 21/285 301 T ,  H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/302 P ,  H01L 21/88 Q

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-286930   出願人：川崎製鉄株式会社