特許
J-GLOBAL ID：200903006434118232

半導体装置の製造方法

発明者：
手塚 好弘

手塚 好弘 について


出願人/特許権者：
川崎製鉄株式会社

川崎製鉄株式会社 について


代理人 (1件)： 小杉 佳男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-286930
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142447
出願日： 1993年11月16日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：
【要約】【目的】低抵抗で熱的安定性の良いシリサイド層を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】CF4 ガスとO2 ガスとを混合した混合ガスをマイクロ波によって励起し、生成された弗素原子と酸素原子を基板へ導き、Si基板40の表面を約10nm程度等方的にエッチングする。この処理により、チタンシリサイド層の高抵抗化の原因となるSiCを含む表面のダメージ層56を除去する。
請求項（抜粋）：
ゲート電極と該ゲート電極を挟んだソースドレイン領域とが形成されたSi基板に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜をエッチバックすることによりゲート側壁を形成する工程と、前記エッチバックの際に前記Si基板に形成されたフロロカーボンのポリマーからなる汚染層を該Si基板から除去する工程と、前記エッチバックの際に前記汚染層の下に形成されたSiCを含有するダメージ層を、前記汚染層が除去されたSi基板から除去する工程と、前記汚染層と前記ダメージ層が除去されたSi基板に高融点金属を堆積する工程と、該高融点金属が堆積されたSi基板を熱処理することにより、前記ゲート電極、及び前記ソースドレイン領域それぞれに含有されたSiと前記高融点金属とを反応させて合金化する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L 21/302 N ,  H01L 21/90 P ,  H01L 29/78 301 P
引用特許：
審査官引用 (4件)
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