特許

J-GLOBAL ID：201103094444116810

ポリイミド樹脂薄膜

発明者： 丸尾 容子 ,  安藤 慎治 ,  佐々木 重邦 ,  松浦 徹
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中本 宏 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-123061
公開番号（公開出願番号）：特開平4-328133
特許番号：特許第3080183号
出願日： 1991年04月26日
公開日（公表日）： 1992年11月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 下記一般式(化1):;;化1::〔式中R1 は下記式(化2):;;化2::で表される基のうちのいずれかの基、R2 は下記式(化3):;;化3::で表される基のうちのいずれかの基であり、ここで式中Rf はフッ素、又はパーフルオロアルキル基、Xは下記式(化4):;;化4::(ここで式中Rf′はパーフルオロアルキレン基、nは1〜10の数を示す)で表される基のうちのいずれかの基である〕で表される繰返し単位を含有するポリイミドを主構成要素とするポリイミド樹脂からなる薄膜において、該薄膜が、下記一般式(化5):;;化5::〔式中R1 は一般式(化1)中のR1 と同義である〕で表されるテトラカルボン酸、又はその誘導体を主成分とする酸成分と、下記一般式(化6):;;化6::H2 N-R2 -NH2 〔式中R2 は一般式(化1)中のR2 と同義である〕で表されるジアミンを主成分とするジアミン成分とを各々蒸発させ、基板上で重合させて前記ポリイミド樹脂膜を形成させることにより得られるものであることを特徴とするポリイミド樹脂薄膜。

IPC (3件)：

C08J 5/18 CFG ,  C08G 73/10 ,  C08L 77:06

FI (2件)：

C08J 5/18 CFG ,  C08G 73/10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-006363
  
• 特開平2-056274