文献

J-GLOBAL ID：201202207727885332   整理番号：12A1436247

[100]方位に作製した高Q値シリコンナノ共振器からのラマン散乱

著者 (6件)： 高橋和 (阪府大 ナノ科学・材料セ) ,  高橋和 (JST-さきがけ) ,  乾善貴 (京大 大学院) ,  千原賢大 (阪府大 ナノ科学・材料セ) ,  浅野卓 (京大 大学院) ,  野田進 (京大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 73rd  ページ： ROMBUNNO.14P-B1-8  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  微小共振器 ,  Raman散乱 ,  Q値 ,  *Ramanスペクトル ,  結晶方位 ,  振動モード ,  光増幅器 ,  Ramanレーザ ,  Raman増幅器
準シソーラス用語： *ナノ共振器 ,  共振モード

分類 (1件)： 半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

タイトルに関連する用語 (6件)： 方位 ,  作製 ,  Q値 ,  シリコン ,  ナノ共振器 ,  ラマン散乱