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J-GLOBAL ID：201202210701128518   整理番号：12A1387310

GaInAsP/InP半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作と熱特性解析

Current Injecting Operation and Thermal Analysis of GaInAsP/InP Membrane DFB Laser

著者 (7件)： 土居恭平 (東京工大) ,  進藤隆彦 (東京工大) ,  二見充輝 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 184(LQE2012 24-57)  ページ： 41-46  発行年： 2012年08月16日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 我々は,オンチップ光インターコネクション用の光源として半導体薄膜(membrane)DFBレーザを提案してきた。半導体薄膜レーザでは,クラッド層に低屈折材料を用いた強い光閉じ込め効果により極低しきい値での動作が期待されている。これまでに,コア層厚450nm,共振器長300μmの半導体薄膜DFBレーザを試作し,しきい値電流値11mAの室温パルス発振を得た。しかし,室温連続動作には至っておらず,この原因を検討するため熱分布シミュレーションによる熱特性の解析を行った。その結果,試作した構造における熱抵抗値は1100K/Wと見積もられ,室温連続発振が困難であることが明らかとなった。そこで,将来的に極低しきい値動作が期待されるコア層厚150nmを有する半導体薄膜レーザについても同様の理論解析を行った。動作電流1mAにおいて熱抵抗値は7000K/Wと大幅に上昇するが,強い光閉じ込め効果に伴う極低しきい値動作が可能となるため,室温連続動作条件下で10Gbit/sのオンチップ光インターコネクションを行うのに十分な光出力を得られることを示した。(著者抄録)

シソーラス用語： *ヒ化リン化インジウムガリウム ,  *リン化インジウム ,  *半導体薄膜 ,  *分布帰還形レーザ ,  注入 ,  *熱特性 ,  *熱分析 ,  横方向 ,  閉込め ,  *相互接続 ,  光源 ,  *熱抵抗 ,  連続発振 ,  室温 ,  温度分布 ,  量子効率 ,  微小共振器 ,  活性層 ,  温度変動 ,  光閉込め
準シソーラス用語： GaInAsP ,  電流注入 ,  光インターコネクション

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaInAsP ,  InP ,  半導体薄膜 ,  DFBレーザ ,  電流注入 ,  熱特性 ,  解析