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J-GLOBAL ID:201202211525929432   整理番号:12A1633894

Si CMOS基板上ミリ波帯オンチップダイポール・ループ・パッチアンテナの放射効率の電磁界シミュレーション

Electromagnetic Simulation of Radiation Efficiency for On-Chip Dipole/Loop/Patch Antennas on a Si CMOS Substrate
著者 (4件):
資料名:
巻: EMC-12  号: 18-42  ページ: 55-60  発行年: 2012年10月25日 
JST資料番号: L4033A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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Si CMOS基板上オンチップダイポール,ループ,パッチアンテナの放射効率の電磁界シミュレーションを行った。ウェル層の等価媒質定数は厚さ1μm,導電率105S/mと仮定すると実験値と計算値がよく一致することが確認できた。オンチップダイポールアンテナ,ループアンテナについて放射効率のシリコン基板の導電率依存性を調べ,導電率0.1S/m(抵抗率1kΩcm)以下であると損失が無視でき,アンテナの形状に依存しないことがわかった。オンチップパッチアンテナの損失は導体損が主要因であり,パッチ導体とグランド板の高さが100μm以上になると導体損が無視できることがシミュレーション結果からわかった。(著者抄録)
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分類 (2件):
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半導体集積回路  ,  アンテナ 
引用文献 (12件):
タイトルに関連する用語 (5件):
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