HfO<sub>2</sub>/InGaAs金属-酸化物-半導体の界面特性に及ぼす原子層堆積温度の影響

SUZUKI Rena; TAOKA Noriyuki; YOKOYAMA Masafumi; KIM Sang-hyeon; HOSHII Takuya; MAEDA Tatsuro; YASUDA Tetsuji; ICHIKAWA Osamu; FUKUHARA Noboru; HATA Masahiko; TAKENAKA Mitsuru; TAKAGI Shinichi

文献

J-GLOBAL ID：201202215107870613 整理番号：12A1602253

HfO₂/InGaAs金属-酸化物-半導体の界面特性に及ぼす原子層堆積温度の影響

Impact of atomic layer deposition temperature on HfO₂/InGaAs metal-oxide-semiconductor interface properties

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資料名：
巻： 112 号： 8 ページ： 084103-084103-5 発行年： 2012年10月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

HfO₂/InGaAs金属-酸化物-半導体(MOS)界面に及ぼす原子層堆積(ALD)温度の影響をAl₂O₃/InGaAs界面と比較して調べた。C-V特性及び界面捕獲密度(D_it)のような界面特性,及びHfO₂/InGaAsの界面構造はALD温度に著しく依存するが,Al₂O₃/InGaAs界面は殆ど影響されない。その結果,ALD温度を200°C又はそれ以下に下げることによりAl₂O₃/InGaAs界面の場合と比較して低D_itのHfO₂/InGaAs界面を達成することができた。また,ALD温度の低下に従いALDの際に界面に形成されるAs₂O₃及びGa₂O₃が増加することが分かった。電気特性のALD温度依存性と比較して,低温のALD温度で得られる良好なC-V特性及び低いD_itはHfO₂/InGaAs界面のAs₂O₃及びGa₂O₃によるパッシベーションで説明でき,これは三価酸化物によるIII-V MOS界面の実効パッシベーションに関して報告された理論結果と一致する。(翻訳著者抄録)

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誘電体一般 , 酸化物薄膜 , 金属-絶縁体-半導体構造

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HfO2/InGaAs金属-酸化物-半導体の界面特性に及ぼす原子層堆積温度の影響

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