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J-GLOBAL ID：201202217559823348   整理番号：12A1436474

Beドープp-GaInAsコンタクト層を有する薄膜DFBレーザのしきい値低減

著者 (7件)： 二見充輝 (東京工大) ,  進藤隆彦 (東京工大) ,  土居恭平 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 73rd  ページ： ROMBUNNO.13A-PA8-1  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ヒ化リン化インジウムガリウム ,  *分布帰還形レーザ ,  ドーピング ,  ベリリウム ,  半導体薄膜 ,  *レーザ出力 ,  素子構造 ,  閾値 ,  *レーザ発振

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： Be ,  ドープ ,  GaInAs ,  コンタクト層 ,  薄膜 ,  DFBレーザ ,  しきい値