文献

J-GLOBAL ID：201202220637145689   整理番号：12A0592661

最先端・次世代の化学工学 シリコンインクを用いた低コスト量子ドット太陽電池の開発

著者 (1件)： 野崎智洋 (東京工大 大学院理工学研究科)
資料名： 化学工学  (Chemical Engineering of Japan)
巻： 76  号： 4  ページ： 201-202  発行年： 2012年04月05日 
JST資料番号： F0099A  ISSN： 0375-9253  CODEN： KKGKA4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： シリコン量子ドットの合成を目的として,インフライト・プラズマCVD法を開発し,サイズが揃ったナノ結晶を連続的に合成することに成功した。シリコン量子ドットは表面の化学状態を制御することで有機溶媒に均一に分散させることができ,これをシリコンインクと呼ぶ。シリコンインクを用いれば,量子ドットが有するユニークな光学及び電子物性を保持したまま,印刷技術を用いて低コストでシリコン量子ドット太陽電池を製造できる可能性がある。量子ドット太陽電池の研究では,InAsやPbSeなど化合物半導体を用いた研究が先行しており素晴らしい成果をあげているが,材料の希少性や環境負荷(毒性など)の観点から市場への大量導入に課題が残る。このような現状を鑑みると,これまで太陽電池で大きな実績を有するシリコンを基幹物質として,量子サイズ効果を利用した新しい太陽電池を開発することで,次世代高効率太陽電池の実現を一気に加速できる。本稿では,これまでの研究,インフライト・プラズマCVDによるシリコン量子ドット合成,単接合太陽電池の開発などについて解説した。

シソーラス用語： 先端技術 ,  *化学工学 ,  *ケイ素 ,  *インク ,  原価 ,  *太陽電池 ,  バンド構造 ,  量子ドット ,  技術開発 ,  プラズマCVD ,  ナノ結晶 ,  有機溶媒 ,  分散【dispersion】 ,  ヒ化インジウム ,  セレン化鉛 ,  化合物半導体 ,  量子サイズ効果 ,  ローコスト ,  *量子ドット太陽電池
準シソーラス用語： 最先端技術 ,  次世代 ,  低コスト ,  *量子ドット型太陽電池

分類 (3件)： 化学工学一般  (XA01000E) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  エネルギー変換装置  (LC01020U)

引用文献 (15件)：

• GREEN, M. A. Third generation photovoltaics-advanced solar energy conversion. 2003, 12
• GRESBACK, R. Nanotechnology. 2011, 22, 305605
• 岡田至崇. 応用物理. 2007, 76, 1, 50
• LUTHER, J. M. Nano Lett. 2008, 8, 3488
• NOZIK, A. J. Physica E. 2002, 14, 115

タイトルに関連する用語 (7件)： 最先端 ,  次世代 ,  化学工学 ,  シリコン ,  インク ,  量子ドット太陽電池 ,  開発