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J-GLOBAL ID：201202221061763671   整理番号：12A0589345

近接積層InAs/GaNAs歪み補償自己組織化量子ドットの光学特性

著者 (14件)： 楢原康平 (東大 先端科学技研セ) ,  楢原康平 (東大 大学院) ,  中野廣一 (東大 先端科学技研セ) ,  中野廣一 (東大 大学院) ,  庄司靖 (東大 先端科学技研セ) ,  庄司靖 (筑波大 大学院) ,  田中秀治 (神戸大 大学院) ,  長谷川隆一 (神戸大 大学院) ,  喜多隆 (東大 先端科学技研セ) ,  喜多隆 (神戸大 大学院) ,  星井拓也 (東大 先端科学技研セ) ,  星井拓也 (東大 大学院) ,  岡田至崇 (東大 先端科学技研セ) ,  岡田至崇 (東大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 59th  ページ： ROMBUNNO.16P-A8-7  発行年： 2012年02月29日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *リン化インジウム ,  *量子ドット ,  ヒ化ガリウム ,  基板 ,  *MBE成長 ,  *キャリア寿命 ,  原子間力顕微鏡 ,  *光ルミネセンス ,  発光スペクトル ,  再結合 ,  自己組織化 ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  多層膜 ,  *ヒ化窒化ガリウム
準シソーラス用語： *歪補償

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： InAs ,  歪み補償 ,  自己組織化 ,  量子ドット ,  光学特性