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J-GLOBAL ID：201202230801549830   整理番号：12A1293126

CeNiIn₄の単結晶育成と加圧下電気抵抗

著者 (6件)： 石田一裕 (大阪大 大学院) ,  広瀬雄介 (大阪大 大学院) ,  森晶宣 (大阪大 大学院) ,  本多史憲 (大阪大 大学院) ,  竹内徹也 (大阪大 低温セ) ,  大貫惇睦 (大阪大 大学院)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 67  号： 2 第3分冊  ページ： 549  発行年： 2012年08月24日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *セリウム合金 ,  *ニッケル合金 ,  *インジウム合金 ,  *結晶成長 ,  *加圧 ,  *電気抵抗 ,  斜方晶系 ,  転移温度 ,  反強磁性 ,  電子比熱 ,  重いFermi系 ,  電子系 ,  アンビル ,  磁気抵抗 ,  重い電子系 ,  *単結晶成長
準シソーラス用語： *単結晶育成

分類 (1件)： 金属結晶の電子伝導  (BM03033M)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単結晶育成 ,  加圧 ,  電気抵抗